DRAM大单优惠价上涨的原因及影响。
半导体存储器之一、DRAM的大单优惠价出现上涨。截至5月,指标产品环比上涨了8%。随着用于生成式AI的新一代产品需求出现激增,存储器企业对普通产品也进行了强势提价。席卷世界的“生成式AI”热潮正在明显推高半导体整体行情。
DRAM嵌入个人电脑(PC)、智能手机和数据中心服务器等设备,是用于数据临时存储的存储器。大单优惠价由作为卖方的存储器制造商、作为买方的设备制造商和模块制造商按月或季度确定。
从5月的大单优惠价来看,作为指标的8GB DDR4为每个2.10美元左右。容量较小的4GB为1.62美元左右。两者均时隔2个月首次上涨。
DRAM的大单优惠价从2021年秋季到2023年春季一直处于下跌局面。原因是疫情下扩大的PC和智能手机的“宅消费”出现停滞,导致需求下降。
韩国的SK海力士和三星电子、美国的美光科技等大型存储器企业因盈利恶化影响,通过减产减少了供应,2023年春季到秋季价格触底。但之后并没有持续上涨,8GB和4GB的产品在3~4月连续2个月持平。
5月上涨的主要原因是新一代半导体“HBM(高宽带存储器)”的洽购强劲。HBM是将多个DRAM芯片叠加在一起的存储器,可实现高速和大容量的数据处理,对于生成式AI芯片的驱动是必不可少的。在面向处理大容量数据的数据中心等领域,HBM的需求正在急剧增加。
HBM大部分供应给涉足生成式AI用图形处理器(GPU)的美国英伟达公司。一家日本电子产品贸易商指出:“HBM的供应跟不上需求,供应量出现短缺”。
大型存储器企业向作为买方的设备制造企业表示,“我们强势要求客户在采购HBM之际高价购买普通DRAM,最终买方接受”。
另一家电子产品贸易商的负责人表示,“一个HBM按(大量用于智能手机的)LPDDR换算,需要3个半导体芯片,所以每个的价格相对较高”。同时补充道“厂家为了增加HBM的供应量,缩小了DRAM的产量。因此,普通DRAM的价格似乎也在上涨”。
有观点指出,日本国内DRAM的价格上涨还有其他因素。市场相关人士称“随着中国智能手机需求的复苏,买家的库存减少,面向中国的DRAM价格上涨。由于面向中国和面向日本国内的价格差拉大,日本国内厂商也跟着接受了涨价”。
随着大型存储器企业纷纷推进HBM的量产,投资竞争日趋激烈。据称HBM以外的生产数量2024年不会增加,也有可能希望在2025年因为供应短缺推动价格上涨。
虽然大单优惠价上涨,但DRAM的现货(即时合约)价格却原地踏步。截至6月25日,8GB DDR为每个1.63美元左右,与2023年底持平。对于与大单优惠价的偏离,有观点认为“除了HBM以外,没有出现供应缺口,因此没有反映在现货价格上”。
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